Тестовый разъем для элемента ИС GD25-HU3PAK-x-S141X142для корпуса типа ТОдля шлифовкиKelvin
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
fo_shop_gate_exact_title
Характеристики
- Применение
- для элемента ИС, для корпуса типа ТО
- Спецификации
- для шлифовки, Kelvin, для сварки погружением
Описание
Тестовое гнездо для пакета HU3PAK
- Тестовые гнезда, обеспечивающие максимальную производительность SiC/GaN MOSFET
- Совместимы с испытаниями на надежность THB и HTRB
- Высокопроизводительные контакты собственной разработки обеспечивают стабильность работы в жестких условиях
- Кельвиновое соединение (опция) обеспечивает быстрое переключение и точную оценку
Сопротивление контактов: 50 мОм макс
Номинальный ток: 12A при 25°C (между стоком и истоком)
Выдерживаемое напряжение: DC2000V 1мин при 25°C
Сопротивление изоляции: 500MΩmin при DC500V
Рабочая температура: от -40 до +200°C (включая повышение температуры из-за электрического тока)
Совместимость с: STHU32N65DM6AG, STHU36N60DM6AG, STHU47N60DM6AG (STMicroelectronics) и т.д.
---
Каталоги
GD25-HU3PAK-x-S141X142
1 Страницы
Другие изделия JC CHERRY INC.
Clamshell Type Power Transistor Socket
Расширенный поиск
- Адаптер
- Печатная плата
- Блок транзисторов
- Электрический изолятор
- Блок транзисторов мощности
- Связной адаптер
- Транзистор с полевым эффектом
- Двухполюсный транзистор
- Тестовый разъем
- Разъем
- Блок транзисторов БТИЗ
- Тестовый разъем для шлифовки
- Эластомер
- Двусторонняя печатная плата
- Тестовый разъем QFN
- Эластомер проводник
- Ручной тестовый разъем
- Разъем для интегральной схемы
- Разъем BGA
- Разъем LED
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.