Транзистор MOSFET IPD900P06NM
мощностьдля коммутациидля автомобильных технологий

транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
MOSFET
Тип
мощность, для коммутации
Другие характеристики
для автомобильных технологий, лавинный

Описание

P-канальные МОП-транзисторы в нормальном и логическом режимах, снижающие сложность проектирования в средних и низких энергопотребляющих приложениях Описание: P-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для управления аккумуляторами, выключателями нагрузки и устройствами защиты от обратной полярности. Основным преимуществом Р-канального устройства является снижение сложности конструкции в приложениях средней и низкой мощности. Простой интерфейс с MCU, быстрое переключение, а также прочность на лавины делают его пригодным для высококачественных приложений с высокими требованиями к качеству. Доступен в нормальном и логическом режимах с широким диапазоном RDS(on) и повышает эффективность при низких нагрузках за счет низкого Qg. Краткое изложение особенностей: Большинство продуктов соответствует требованиям стандарта AEC Q101 VDS = -60V Широкий диапазон RDS(on) Нормальный уровень и доступность логического уровня Преимущества: Простой интерфейс к MCU Повышение эффективности при низких нагрузках благодаря низкому содержанию Qg Быстрое переключение Лавинная прочность Целевое применение: Аккумулятор Потребитель Промышленная автоматизация Промышленные приводы

---

Каталоги

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Страницы

Другие изделия Infineon Technologies - Sensors

MOSFET

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.