Микроскоп с полевой эмиссией катода (FESEM) HEM6000
для лабораторийдля анализа материаловдля полупроводника

Микроскоп с полевой эмиссией катода (FESEM) - HEM6000 - CIQTEK Co., Ltd. - для лабораторий / для анализа материалов / для полупроводника
Микроскоп с полевой эмиссией катода (FESEM) - HEM6000 - CIQTEK Co., Ltd. - для лабораторий / для анализа материалов / для полупроводника
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
с полевой эмиссией катода (FESEM)
Применение
для лабораторий, для анализа материалов, для полупроводника, для геологии
Эргономика
прямой
Метод наблюдения
со светлым фоном
Конфигурация
напольный
Источник электронов
с автоэлектронной эмиссией (эффект Шоттки)
Тип объектива
с погружением
Тип детектора
in-lens SE, обратно-рассеянных электронов
Опции и аксессуары
автоматизированный
Другие характеристики
высокое разрешение, с широким полем зрения и рабочим расстоянием, автоматизированный, высокая скорость, для полупроводника, ультравысокое разрешение
Увеличение

МИН.: 66 unit

МАКС.: 1 000 000 unit

Пространственное разрешение

МИН.: 0,9 nm

1,3 nm

МАКС.: 1,5 nm

Длина

1 716 mm
(67,6 in)

Ширина

1 235 mm
(48,6 in)

Описание

Высокоскоростной сканирующий электронный микроскоп для получения поперечных изображений образцов большого объема CIQTEK HEM6000 использует такие технологии, как высокояркая электронная пушка с большим пучком тока, высокоскоростная система отклонения электронного пучка, высоковольтное замедление столика образца, динамическая оптическая ось, иммерсионный электромагнитный и электростатический комбинированный объектив для получения высокоскоростных изображений при обеспечении наномасштабного разрешения. Автоматизированный процесс работы разработан для таких применений, как более эффективная и интеллектуальная обработка изображений высокого разрешения на больших площадях. Скорость получения изображений может быть более чем в 5 раз выше, чем у обычного полевого эмиссионного сканирующего электронного микроскопа (Fesem). 1. Скорость получения изображения: 10 нс/пиксель, 2*100 М пикселей/с 2. Разрешение: 1,3 нм@3 кВ, SE; 1,5 нм@1 кВ, SE; 0,9 нм@30 кВ, STEM 3. Напряжение ускорения:0,1 кВ~6 кВ (режим замедления),6 кВ~30 кВ (режим без замедления) 4. Поле зрения:Максимум 1*1 мм2, высокое разрешение с минимальным искажением 64*64 мкм2 5. Повторяемость этапа:X ±0,6 мкм, Y ±0,3 мкм 6. Система фильтрации электронов сигнала:SE/BSE переключение без сигнала, смешивание с регулируемым соотношением 7. Полностью электростатическая высокоскоростная система отклонения пучка:Высокое разрешение изображения большого поля достижимо Максимально. Поле зрения до 32 мкм*32 мкм при 4 нм на пиксель 8. Технология замедления ступени образца: уменьшение напряжения приземления падающих электронов, повышение эффективности захвата сигнальных электронов 9.Электромагнитная и электростатическая система отклонения пучка объектива: магнитное поле объектива погружает образец, способствуя получению изображений высокого разрешения с низким уровнем аберраций

---

ВИДЕО

Каталоги

Другие изделия CIQTEK Co., Ltd.

Scanning Electron Microscope

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.