МОП-структура SIR5402DP

Обзор
N-канальный MOSFET 40 В (D-S) на технологии TrenchFET® Gen IV, предназначенный для силовых коммутаций и инверторов.

Ключевые характеристики

• TrenchFET® Gen IV, стандартный уровень
• Конструкция с высоким Vth для снижения шумов и повышения стабильности затвора
• Оптимизированное соотношение Qgd / Qgs для эффективного переключения

Документация

• Datasheet — N-канальный 40 В (D-S) MOSFET (SIR5402DP)
• Информация по маркировке — детали маркировки для вариантов PowerPAK® и PowerPAIR®
• PAD Pattern — рекомендуемые минимальные PAD для PowerPAK® SO-8 Single
• Application Note AN821 — монтаж и тепловые соображения для PowerPAK® SO-8
• Информация по катушке (reel) — данные по упаковке на катушку
• Информация по ленте (tape) — спецификации ленты для PowerPAK® SOIC-8
• Информация по корпусу — чертежи и данные для PowerPAK® SO-8 (Single/Dual)
• Надежность корпуса — данные испытаний окружающей среды и корпуса для процесса пайки PowerPAK® SO-8
• Надежность продукта — данные надежности процесса 530MC SG
• Руководство по подбору — MOSFET для решений питания серверов AI

Дополнительные заметки

• ECAD-модели доступны для скачивания (Ultra Librarian)
• Ссылки Buy Now / Request Sample доступны на странице продукта

Технические характеристики

• Модель: SIR5402DP
• Тип устройства: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (VDS): 40 В (D-S)
• Технология / процесс: TrenchFET® Gen IV (стандартный уровень)
• Особенности конструкции: High Vth для снижения шума; оптимизированное соотношение Qgd / Qgs
• Варианты корпусов: PowerPAK® SO-8 и несколько вариантов PowerPAK® / PowerPAIR® (см. документацию по корпусу)
• Типичные документы: datasheet, маркировка, рекомендации по PAD/landpattern, примечание по монтажу/теплу, информация по упаковке reel/tape, чертежи корпуса, данные по надежности, руководство по подбору
• Справочный ID страницы продукта Vishay: 61684