Фототранзистор БТИЗ H11 series
для коммутацииSMDGaAs

фототранзистор БТИЗ
фототранзистор БТИЗ
фототранзистор БТИЗ
фототранзистор БТИЗ
фототранзистор БТИЗ
фототранзистор БТИЗ
фототранзистор БТИЗ
фототранзистор БТИЗ
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Тип
БТИЗ
Тип
для коммутации
Другие характеристики
из кремния, SMD, GaAs
Ток

50,5 A, 60 A, 75 A

Напряжение

МИН.: 32 V

МАКС.: 300 V

Описание

Оптопара, фототранзисторный выход, с базовым подключением, высокое напряжение BVCEO ОСОБЕННОСТИ Очень высокое напряжение пробоя коллектор-эмиттер BVCEO Испытательное напряжение изоляции: 5000 VRMS Низкая емкость связи ПРИМЕНЕНИЯ Телекоммуникации Промышленные системы управления Оборудование с питанием от батарей

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги VISHAY

Салоны

Вы сможете встретиться с этим поставщиком на выставке(-ах)

InnoTrans 2024
InnoTrans 2024

24-27 сент. 2024 Berlin (Германия) Зал 17 - Стенд 340

  • Дополнительная информация

    Другие изделия VISHAY

    Semiconductors

    * Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.