Операционный усилитель LM358

компаратораналоговыйс фильтрацией

Обзор
LM358 — двухканальный операционный усилитель, обеспечивающий стабильность при коэффициенте усиления единицы и широкий диапазон питания для промышленных и встроенных приложений общего назначения. Варианты нового поколения (LM358B, LM2904B/BA) обеспечивают меньший дрейф смещения, сниженный ток покоя и интегрированное EMI/RF‑фильтрование для улучшения характеристик.

Краткое описание
Семейство LM358 обладает входным общим режимом, включающим землю, низким входным смещением и хорошей допустимостью дифференциального входного напряжения. Типичная GBW ≈ 0,7 МГц; варианты B/BA увеличивают полосу и снижают ток покоя. Устройства пригодны для чувствительных к цене и жестких условий эксплуатации, где требуется повышенная ESD‑защита и устойчивость к EMI.

Функции

• Диапазон питания: 3 В — 30 В (до 36 В для некоторых вариантов B/BA)
• Ток покоя: ~300–350 µA на канал (типично, зависит от варианта)
• Полоса при усилении единицы: ~0,7 МГц (LM358); ~1,2 МГц (LM358B/BA)
• Входной диапазон common‑mode включает землю (позволяет измерения около 0 В)
• Низкое входное смещение: ~2–3 мВ в зависимости от варианта
• Интегрированные RF/EMI‑фильтры и повышенная ESD‑защита в вариантах B/BA

Технический паспорт
См. datasheet "Industry‑Standard Dual Operational Amplifiers" (Rev. AB) для полных электрических характеристик, распиновки и рекомендаций по применению.

Корпуса и материалы

• Распространенные корпуса: PDIP, SOIC, SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8
• Доступны функциональная блок‑схема и чертежи корпусов

Описание (подробно)
Варианты LM358B/LM2904B вводят улучшения: более низкий типичный дрейф смещения (≈300 µV типично для B/BA), сниженный ток покоя (~300 µA на усилитель), повышенная ESD‑устойчивость (например, 2 kV HBM для некоторых вариантов) и встроенное EMI/RF‑фильтрование, что облегчает использование в более жестких условиях и в конструкциях с ограниченным пространством.

Характеристики / технические спецификации

• Количество каналов: 2
• Общее питающее напряжение (max): 30 В
• Общее питающее напряжение (min): 3 В
• Rail-to-rail: вход до V− (common‑mode включает землю)
• GBW (typ): 0,7 МГц (LM358); ~1,2 МГц (B/BA)
• Скорость нарастания (Slew rate, typ): 0,3 В/µs
• Vos (max при 25 °C): до 7 мВ (каталог); 3 мВ (A/B); 2 мВ (BA)
• Iq на канал (typ): 0,35 мА (типично); ~0,3 мА для B/BA
• Vn при 1 кГц (typ): 40 nV/√Hz
• Диапазон рабочих температур: 0 до 70 °C
• CMRR (typ): 80 дБ
• Iout (typ): 30 мА
• Архитектура: биполярная
• Типичные корпуса: PDIP (8 выводов), SOIC (8 выводов), SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8