Чип обнаружения S1000R

Высокий уровень ESD, высокая чувствительность, низкий темновой ток, положительный тип подсветки, анод спереди и катод сзади, размер круглой активной области - Ф 1000 мкм. Обладает чрезвычайно высокой чувствительностью в диапазоне 900 нм ~ 1700 нм и в основном используется для обнаружения LD подсветки. 1. Высокая конструкция электростатического разряда, высокая ответственность (900 нм ~ 1700 нм), низкий темновой ток, верхняя подсветка, анод сверху и катод сзади. 2. Φ=1000μm, круглая активная область. 3. Все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE, соответствуют RoHS2.0 (2011/65/EU).