Фотодиодная матрица PIN XSJ-10-D7A-**-K8-500
кристалл ИС

Фотодиодная матрица PIN - XSJ-10-D7A-**-K8-500 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - кристалл ИС
Фотодиодная матрица PIN - XSJ-10-D7A-**-K8-500 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - кристалл ИС
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Спецификации
PIN, кристалл ИС

Описание

Чип детектора света массива 8X56 Гбод (8X112 Гбит/с PAM4) - это высокоскоростной цифровой чип PIN-детектора света с верхним входом света и меза-структурой, а размер фоточувствительной зоны составляет Φ20 мкм. Отличаясь высокой чувствительностью, низкой емкостью, низким темновым током и высокой надежностью, продукт используется в цифровых линиях связи PAM4 со скоростью 4X112 Гбит/с для одномодовых длин волн от 1200 до 1600 нм. 1. Структура GSG bond pad, массив 8X56 Гбод. 2. Шаг матрицы: 500 мм. 3. низкий темновой ток и высокая пропускная способность 4. 100% тестирование и проверка. 5. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia-GR-468-CORE. 6. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Области применения 1.800G DR8/FR8/LR8.

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

Другие изделия PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

Data Center Applications

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.