Фотодиодная матрица PIN XSJ-10-D6A-20-K4-750
кристалл ИС

Фотодиодная матрица PIN - XSJ-10-D6A-20-K4-750 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - кристалл ИС
Фотодиодная матрица PIN - XSJ-10-D6A-20-K4-750 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - кристалл ИС
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Спецификации
PIN, кристалл ИС

Описание

Чип фотодетектора 4X56GBaud array 400Gbps - это высокоскоростной цифровой чип PIN-фотодетектора с верхним световым входом и меза-структурой, а размер светочувствительной области составляет Φ 24um. Основными характеристиками продукта являются высокая отзывчивость, низкая емкость, низкий темновой ток и высокая надежность. Этот продукт применяется в одномодовых оптических приемниках с длиной волны от 910 до 1650 нм со скоростью передачи данных 50 Гбит/с и выше. 1. Активная область Φ20μm. 2. Структура связки земля-сигнал-земля (GSG), массив 4X25G. 3. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность. 4. Скорость передачи данных: ≥ 25 Гбит/с/канал. 5. Шаг матрицы: 750 мкм. 6. 100% тестирование и проверка. 7. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 8. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Области применения 1. IEEE 100 Gigabit Ethernet 2. 100G CWDM4, PSM4, CLR4 3. каналы 100 Гбит/с (4X25 Гбит/с)

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

Другие изделия PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

Data Center Applications

* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.