- Метрология - Лабораторное дело
- Оптический Компонент
- Фотодиодная матрица кристалл ИС
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Фотодиодная матрица PIN XSJ-10-D8A-80L-KB4-500кристалл ИС
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
Характеристики
- Спецификации
- PIN, кристалл ИС
Описание
4X200 Гбит/с 500 мкм Шаг матрицы 1X4Массив с нижней подсветкой PIN PD чип
Этот чип фотодиода 4X112GBaud Array 800Gbps, который является нижней подсветкой и меза структуры высокой скорости передачи данных PIN фотодиода чип, с Φ80μm линзы интегрированы на дне чипа. Его особенности являются высокими, низкая емкость, низкий темновой ток и отличная надежность, применение 910nm до 1650nm с одномодовым волокном длины волны, с датой скорость до 200Gbps длинноволнового оптического приемника.
1.Φ80pm объектив интегрирован на дне.
2. Ground-Signal-Ground (GSG) облигации колодки структуры, 4X112GBaud массив.
3. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность.
4. Скорость передачи данных: ≥ 112 Гбод/канал.
5. Шаг матрицы: 500 мкм.
6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% тестирование и проверка.
8. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU).
Применение
1. оптические модули 800G
2. 1.оптические модули 6T
---
Каталоги
Для этого товара не доступен ни один каталог.
Посмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.Другие изделия PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Data Center Applications
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.