Фотодиод PIN XSJ-10-G6-38H-K4

Описание Эта микросхема фотодиода с высокой скоростью передачи данных 100 Гбит/с представляет собой GaAs PIN-структуру с верхней подсветкой. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ38 мкм, анодная и катодная площадки сверху для проводного соединения в корпусе TO-CAN, применение в передаче данных по оптоволоконному каналу, 100Gigabit Ethernet, многомодовой связи и т.д. Размеры изделия специально подобраны для негерметичной упаковки. Характеристики 1. Активная область Φ38 мкм. 2. Низкая емкость, низкий темновой ток, высокая ответственность. 3. Конструкция связующей площадки GS. 4. Шаг матрицы: 250 мкм. 5. 100% тестирование и контроль. 6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Области применения 1. 100G SR4