＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... 4X200 Гбит/с 500 мкм Шаг матрицы 1X4Массив с нижней подсветкой PIN PD чип Этот чип фотодиода 4X112GBaud Array 800Gbps, который является нижней подсветкой и меза структуры высокой скорости передачи данных PIN фотодиода чип, с Φ80μm линзы ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Чип детектора света массива 8X56 Гбод (8X112 Гбит/с PAM4) - это высокоскоростной цифровой чип PIN-детектора света с верхним входом света и меза-структурой, а размер фоточувствительной зоны составляет Φ20 мкм. Отличаясь высокой чувствительностью, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Чип детектора света 4X56GBaud array 400Gbps - это высокоскоростной цифровой чип PIN-детектора света с верхним входом света и структурой мезы, а размер светочувствительной области составляет Φ16μm. Основными особенностями продукта являются ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Используйте наши фотодиодные массивы 850 нм, когда вам нужно соответствовать строгим спецификациям для высокоскоростной передачи данных. На выбор предлагаются 1, 4 или 12 каналов. Эти высокопроизводительные, высоконадежные устройства ...
... 16-элементный массив с возможностью поверхностного монтажа S15158 - это 16-элементный массив фотодиодов Si PIN в корпусе для поверхностного монтажа. Он может быть смонтирован с помощью пайки и использован в широком спектре приложений, ...
... Подобно фотоумножителям, лавинные фотодиоды используются для обнаружения крайне слабой интенсивности света. Si APD используются в диапазоне длин волн от 250 до 1100 нм, а InGaAs используется в качестве полупроводникового материала в APD ...
... OID7 6 п/н фотодиодный массивный чип Общее описание Оптическое устройство, состоящее из 6-микросхемного кремниевого P/N фотодиодного массива с высокой однородностью выходных сигналов. Устройство дает наилучшие характеристики с обратным ...
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который действует как антиотражающий слой. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным ...
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который действует как антиотражающий слой. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным ...
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который действует как антиотражающий слой. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным ...
... ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ С ЗАДНЕЙ ПОДСВЕТКОЙ НЕСТАНДАРТНЫЕ ИЗДЕЛИЯ Поделитесь об этом в FacebookTweet на TwitterShare на LinkedInEnEmail кому-нибудь Фотодиодная технология с задней подсветкой (BSI) позволяет изготавливать полностью облицовочные ...
Detection Technology
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который выступает в качестве антиотражающего слоя. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным ...
RLS
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось