＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Используйте наши фотодиодные массивы 850 нм, когда вам нужно соответствовать строгим спецификациям для высокоскоростной передачи данных. На выбор предлагаются 1, 4 или 12 каналов. Эти высокопроизводительные, высоконадежные устройства разработаны с низким ...
... 4X200 Гбит/с 500 мкм Шаг матрицы 1X4Массив с нижней подсветкой PIN PD чип Этот чип фотодиода 4X112GBaud Array 800Gbps, который является нижней подсветкой и меза структуры высокой скорости передачи данных PIN фотодиода чип, с Φ80μm линзы интегрированы ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Чип детектора света массива 8X56 Гбод (8X112 Гбит/с PAM4) - это высокоскоростной цифровой чип PIN-детектора света с верхним входом света и меза-структурой, а размер фоточувствительной зоны составляет Φ20 мкм. Отличаясь высокой чувствительностью, низкой ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Чип детектора света 4X56GBaud array 400Gbps - это высокоскоростной цифровой чип PIN-детектора света с верхним входом света и структурой мезы, а размер светочувствительной области составляет Φ16μm. Основными особенностями продукта являются высокая отзывчивость, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ С ЗАДНЕЙ ПОДСВЕТКОЙ НЕСТАНДАРТНЫЕ ИЗДЕЛИЯ Поделитесь об этом в FacebookTweet на TwitterShare на LinkedInEnEmail кому-нибудь Фотодиодная технология с задней подсветкой (BSI) позволяет изготавливать полностью облицовочные фотодиодные ...
Detection Technology
... Подобно фотоумножителям, лавинные фотодиоды используются для обнаружения крайне слабой интенсивности света. Si APD используются в диапазоне длин волн от 250 до 1100 нм, а InGaAs используется в качестве полупроводникового материала в APD для диапазона ...
... OID7 6 п/н фотодиодный массивный чип Общее описание Оптическое устройство, состоящее из 6-микросхемного кремниевого P/N фотодиодного массива с высокой однородностью выходных сигналов. Устройство дает наилучшие характеристики с обратным смещением, так ...
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который действует как антиотражающий слой. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным клеем. Массив ...
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который действует как антиотражающий слой. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным клеем. Массив ...
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который действует как антиотражающий слой. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным клеем. Массив ...
... Фотосенсор состоит из 6 чипов фотодиодов, изготовленных по планарной технологии. Фотодиоды пассивированы нитридом кремния, который выступает в качестве антиотражающего слоя. Затем они приклеиваются к печатной плате и защищаются прозрачным эпоксидным клеем. ...
RLS
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки