Это гнездо разработано для высокой производительности и предназначено для отдельных полупроводниковых приборов, таких как силовые транзисторы и тиристоры.
Он поддерживает высокие токи, высокое напряжение и высокотемпературные условия.
Гнездо совместимо с такими корпусами, как TO-247, TO-3P, TO-264, TO-247 4L и TO-220.
На задний выступ устройства можно установить нагреватели или радиаторы, что позволяет использовать его для определения тепловых характеристик устройства.
- Высокий ток: DC30A при 25°C
(Значение тока основано на условиях, когда задняя панель устройства не используется)
---