Инфракрасный фотогальванический детектор P17442-011MS

InAsSb

Обзор
P17442-011MS — фотогальванический инфракрасный детектор InAsSb, оптимизированный для чувствительности в спектральной полосе до 5 µm. Высокая чувствительность достигается за счёт специализированного кристаллического роста и технологических процессов, а также задней иллюминации, что улучшает температурный коэффициент чувствительности по сравнению с фронтально освещаемыми типами. Фото-площадь увеличена по сравнению с сериями P16112/P16612 для повышения выходного сигнала. Продукт соответствует RoHS (не содержит свинца, ртути, кадмия).

Ключевое позиционирование
Высокочувствительный, быстрый ИК-детектор на один элемент (до 5 µm). Увеличенная светочувствительная площадь для повышения выходного сигнала по сравнению с предыдущими сериями.

Особенности

• Высокая чувствительность в средневолновой ИК-области
• Быстрое время отклика, подходит для высокоскоростных измерений
• Соответствует RoHS (без свинца, ртути, кадмия)

Важные примечания к продукту

• Задняя иллюминация улучшает температурный коэффициент чувствительности.
• Увеличенная светочувствительная площадь по сравнению с сериями P16112/P16612 для более высокого выходного сигнала.
• Экологичная конструкция: без свинца, ртути и кадмия.

Спектральные / эксплуатационные показатели

• Типичная длина волны пикового отклика: 4.1 µm
• Типичная длина волны среза: 5.3 µm

Технические характеристики

• Число элементов: 1
• Светочувствительная площадь: 1 × 1 mm
• Корпус: Металл
• Категория корпуса: TO-5
• Охлаждение: Без охлаждения
• Длина волны пикового отклика (typ.): 4.1 µm
• Длина волны среза (typ.): 5.3 µm
• Фоточувствительность (typ.): 65 mA/W
• Detectivity D* (typ.): 1.0 × 10^9 cm·Hz^1/2/W
• Эквивалентная шумовая мощность (typ.): 1.0 × 10^-10 W/Hz^1/2
• Время нарастания (typ.): 15 ns
• Ёмкость выводов (typ.): 100 pF
• Условия измерения: Ta = 25 °C, Detectivity D*: λ = λp, fc = 1200 Hz, Δf = 1 Hz