Станок для резки УФ-лазер LUD3210

для монокристаллического кремниядля полупроводниковой пластиныЧПУ

Ультрафиолетовый пикосекундный лазер используется для прецизионной половинной или полной резки кремниевых и составных полупроводниковых пластин. - Высокое качество Ширина линии резки узкая (если взять в качестве примера ультрафиолетовую коллимацию, ширина линии резки + HAZ ≤ 20 ± 5 мкм) Небольшой развал краев (≤ 10 мкм) - Высокая эффективность UPH ≥ 10 (ультрафиолетовый гальванометр: в качестве примера возьмем 3-дюймовую пластину кремниевого диода с двойной мезой, включая время автоматического выравнивания) - Хорошая стабильность Лазер имеет высокую стабильность импульса (≤ 2% RMS) и высокое качество луча (M ² ≤1,2) Отображение образца： Фронт резки - 3-дюймовая двойная меза диодной пластины лазерной полной резки; размер зерна: 300 * 300 мкм, толщина пластины 130 мкм, толщина канала резки 30 мкм.