Данное оборудование предназначено для установок герметизации и тестирования чипов размером 8 дюймов и выше, и применяется для пластин с низким К и пластин Gan на основе кремния с размером 40 нм и ниже в полупроводниковой промышленности.
- Высокое качество
Использование ультракоротких импульсов для уменьшения разрушения краев, расслаивания и термического воздействия, а также высокоточное визуальное позиционирование для обеспечения положения пазов
- Высокая эффективность
На основе технологии пространственной модуляции света можно регулировать размер и форму пятна формирования, коэффициент использования энергии лазера высок, а реакция быстрая
- Высокая интеграция
Встроенный модуль нанесения защитного жидкого покрытия, выемки и очистки пластин
---