Транзисторы мощности AMOT

1 Компания | 38 товаров
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD900P06NM

Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V

... Обзор

  • IPD900P06NM — P-канальный силовой MOSFET, разработанный для коммутационных задач и управления питанием.
  • Технология: OptiMOS™
  • Полярность: P (P-канал)
  • Типичный корпус: DPAK (TO-252)


Ключевые ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
BSZ063N04LS6

Ток: 40 A
Напряжение: 40 V

... приоритетный

  • Семейство продукта: N‑Channel (силовые MOSFET)

  • Применения
    • Преобразование мощности (SMPS)
    • Зарядные устройства для аккумуляторов
    • ORing / защита пути питания для резервных
    ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPB60R045P7

    Ток: 61 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPP60R160P7

    Ток: 20 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPAN60R180P7S

    Ток: 18 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPAN60R360P7S

    Ток: 9 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPZA60R024P7

    Ток: 101 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPW60R024P7

    Ток: 101 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPAN60R600P7S

    Ток: 6 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    транзистор MOSFET
    транзистор MOSFET
    IPAN60R280P7S

    Ток: 12 A
    Напряжение: 600 V

    ... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...

    Показать другие изделия
    Infineon Technologies AG
    презентуйте свою продукцию

    & связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

    Стать участником выставки