Транзисторы мощности AMOT
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V
... Обзор
- IPD900P06NM — P-канальный силовой MOSFET, разработанный для коммутационных задач и управления питанием.
- Технология: OptiMOS™
- Полярность: P (P-канал)
- Типичный корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые ...
Infineon Technologies AG
Ток: 40 A
Напряжение: 40 V
... приоритетный
Применения
- Преобразование мощности (SMPS)
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- ORing / защита пути питания для резервных
Infineon Technologies AG
Ток: 61 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
Ток: 20 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
Ток: 18 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
Ток: 9 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
Ток: 101 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
Ток: 101 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
Ток: 6 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
Ток: 12 A
Напряжение: 600 V
... электростатического разряда Встроенный RG снижает чувствительность МОП- транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC Отличная прочность при ...
Infineon Technologies AG
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки- Список брендов
- Личный кабинет производителя
- Личный кабинет покупателя
- Наши услуги
- Подписка на новостную рассылку
- Информация о группе предприятий VirtualExpo