Лавинные транзисторы AMOT

1 Компания | 12 товаров
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}

{{product.productLabel}} {{product.model}}

{{#if product.featureValues}}
{{#each product.featureValues}} {{content}} {{/each}}
{{/if}}
{{#if product.productPrice }} {{#if product.productPrice.price }}

{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{/if}} {{/if}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}} {{#each product.productTagAssociationList}}
{{/each}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD900P06NM

Ток: -16,4 A
Напряжение: -60 V

... Обзор

  • IPD900P06NM — P-канальный силовой MOSFET, разработанный для коммутационных задач и управления питанием.
  • Технология: OptiMOS™
  • Полярность: P (P-канал)
  • Типичный корпус: DPAK (TO-252)


Ключевые ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
ISP75DP06LM

Напряжение: -60 V

... Р-канальные 60-вольтовые МОП- транзисторы OptiMOS™ в корпусе SOT-223 идеально подходят для коммутации нагрузки, управления батареями, а также для защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канальных МОП- транзисторов ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD25DP06NM

Ток: -6,5 A
Напряжение: -60 V

... OptiMOS™ P-канальные МОП- транзисторы 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
BSP171I

Ток: -3,2 A
Напряжение: -60 V

... и устойчивости к лавинным разрядам силовые MOSFET OptiMOS™ компании Infineon подходят для применения в системах, требующих высокого качества. Характеристики Низкое сопротивление в включенном состоянии 100% проверка на лавинный ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
ISP12DP06NM

... Р-канальные 60-вольтовые МОП- транзисторы OptiMOS™ в корпусе SOT-223 идеально подходят для коммутации нагрузки, управления батареями, а также для защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канальных МОП- транзисторов ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPB110P06LM

Ток: -100 A
Напряжение: -60 V

... OptiMOS™ P-канальные МОП- транзисторы 60 В в корпусе D²PAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
BSS84I

Ток: -0,29 A
Напряжение: -60 V

... быстрой скорости переключения и устойчивости к лавинным разрядам мощные MOSFET OptiMOS™ компании Infineon подходят для применений, требующих высокого качества. Характеристики 100% проверка на лавинные разряды ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
BSS83I

Ток: -0,55 A
Напряжение: -60 V

... Р-канальные МОП- транзисторы OptiMOS™ в корпусе SOT-23 идеально подходят для коммутации нагрузки, управления аккумуляторами, а также для защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канальных МОП- транзисторов ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
BSP170I

Ток: -3,2 A
Напряжение: -60 V

... переключения и устойчивости к лавинным разрядам мощные MOSFET OptiMOS™ компании Infineon подходят для применений, требующих высокого качества. Характеристики Низкое сопротивление в включенном состоянии 100 % проверка на лавинную ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD650P06NM

Ток: -22 A
Напряжение: -60 V

... Р-канальные МОП- транзисторы OptiMOS™ в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies AG
презентуйте свою продукцию

& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год

Стать участником выставки