- Электричество - Электроника >
- Электронный компонент >
- Двухполюсный транзистор >
- STMicroelectronics
Двухполюсные транзисторы STMicroelectronics
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}

Ток: 24 A
Напряжение: 1 700 V
... В устройстве используется технология диффузионного коллектора в планарном исполнении с использованием "улучшенной высоковольтной структуры" (EHVS1), разработанной для ЭЛТ-дисплеев высокой четкости. Новая серия продуктов HD демонстрирует ...
STMicroelectronics

Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, что позволяет достичь превосходного компромисса между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение ...
STMicroelectronics

Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое ...
STMicroelectronics

Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое ...
STMicroelectronics

Ток: 8 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH™, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое ...
STMicroelectronics

Ток: 30 A
Напряжение: 600 V
... В этом IGBT используется передовой технологический процесс PowerMESH, в результате чего достигается превосходный компромисс между характеристиками переключения и низким уровнем поведения в состоянии покоя. Все характеристики Низкое падение ...
STMicroelectronics
& связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставкиВаши предложения по улучшению услуг:
- Список брендов
- Личный кабинет производителя
- Личный кабинет покупателя
- Наши услуги
- Подписка на новостную рассылку
- Информация о группе предприятий VirtualExpo
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось