＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Этот чип фотодиода 25 Гбит/с, который является чипом PIN-фотодиода с верхней подсветкой и высокой скоростью передачи данных, с активной областью Φ32μm. Его характеристики имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, низкий ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 25 Гбит/с, который является чипом PIN-фотодиода с верхней подсветкой и высокой скоростью передачи данных, с активной областью Φ32μm. Его характеристики имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, низкий ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 10 Гбит/с имеет структуру InGaAs/InP PIN и верхнюю подсветку. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50μm, анодная и катодная ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 10 Гбит/с имеет структуру InGaAs/InP PIN и верхнюю подсветку. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50μm, анодная и катодная ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип лавинного фотодиода 25 Гбит/с (APD- чип) представляет собой разновидность электродной структуры Ground-Signal (GS), размер активной области с верхним освещением составляет Φ16 мкм. Особенностью данного продукта ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... XSJ-10-EMPD-120L - это микросхема мониторингового фотодетектора InGaAs InP PIN с боковой подсветкой и планарной структурой. Анод и катод расположены спереди, а боковое окно обнаружения микросхемы имеет размеры 120 ммX60 мм и подходит для центров обработки ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Эта микросхема мониторного PIN-фотодиода с краевой подсветкой InGaAs/InP с большой активной областью, которая представляет собой планарную структуру с анодом и двойным катодом сверху. Размер обнаруживаемой области составляет 100μmX80μm, и более высокая ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 56GBaud, который является верхней подсветкой и меза структуры высокой скорости передачи данных PIN фотодиода чип, активная область размер Φ16μm. Его особенности имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... XSJ-10-EMPD-120R представляет собой чип мониторного PIN-фотодиода с краевой подсветкой InGaAs/InP, который имеет планарную структуру с анодным контактом и катодным контактом сверху. Размер детектируемой области фотодиода составляет 120μmX60μm, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Описание XSJ-10-EMPD-120RB представляет собой микросхему мониторингового фотодетектора InGaAs InP PIN с боковой засветкой и планарной структурой. Анод и катод металлизированы спереди и сзади, а боковое окно обнаружения микросхемы имеет размеры 120X60 ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки