Нитрат алюминия с дисками

изоляционныйвысокая теплопроводность

Обзор продукта
Стандартные диаметры подложек из нитрида алюминия Innovacera составляют от 50,8 мм (2”) до 200 мм (8”); наиболее часто используются 6” и 8” AlN‑вафли. AlN‑вафли могут изготавливаться в различных толщинах от 0,125 мм до 1 мм с полированными или шлифованными сторонами. Доступны индивидуальные размеры и требования по заказу.
Нитрид алюминия (AlN) играет важную роль в полупроводниковой промышленности; схожесть его теплового профиля с кремнием делает его подходящим для приложений, связанных с вафлями. AlN‑вафли Innovacera обеспечивают высокую надёжность для Si‑чипов и при тепловых циклах. При технологии прямого соединения вафель (direct wafer bonding) полированные полупроводниковые вафли можно соединять без клеев. Для прямого соединения требуются очень плоские и очень гладкие поверхности (Ra ≤ 0,05 µm); AlN‑субстраты Innovacera соответствуют этим требованиям.

Особенности

• Высокая температура плавления
• Высокая электрическая изоляция
• Низкая диэлектрическая постоянная
• Высокая механическая прочность
• Отличная коррозионная стойкость против расплавленных металлов
• Термическая и химическая стабильность
• Высокая теплопроводность (170–220 W/m·K)
• Коэффициент теплового расширения близок к кремнию (Si)

Свойства (классы материалов: AN170 / AN230 / AN99 / AN999)
Properties | Unit | AN170 | AN230 | AN99 | AN999
Цвет | – | Серый | Бежевый | Серый | Бежевый
Содержание AlN | – | ≥95% | ≥96% | ≥99% | ≥99,9%
Плотность | g/cm3 | ≥3,30 | ≥3,28 | ≥3,26 | ≥3,25
Прочность на изгиб | MPa | ≥400 | ≥300 | ≥300 | ≥300
Прочность на сжатие | MPa | 2500 | 2000 | 2000 | 2000
Hv 500g | GPa | 10,5 | 9,0 | 9,0 | 9,0
Модуль Юнга | GPa | 300 | 300 | 280 | 280
Теплопроводность (@20°C) | W/m·K | ≥170 | ≥220 | ~100 | ~90
Удельная теплоёмкость | KJ/(Kg·K) | 0,74 | 0,73 | 0,73 | 0,73
CTE (помп.-400°C) | 10-6/K | 4,6 | 4,6 | 4,6 | 4,6
Объёмная удельная резистивность (20°C) | Ω·cm | ≥10^14 | ≥10^13 | ≥10^10 | ≥10^10
Диэлектрическая прочность | KV/mm | ≥16 | ≥15 | ≥15 | ≥15
Диэлектрическая проницаемость (@1MHz) | – | 8,6 | 8,6 | 8,6 | 8,6
Тангенс потерь (@1MHz) | ×10^-4 | 5 | 5 | 5 | 5

Технические характеристики AlN‑вафель (типично для 6″ и 8″)
Properties | Unit | 6″ Wafer | 8″ Wafer
Материал | – | AlN керамика | AlN керамика
Теплопроводность | W/m·K | >170 | >170
Коэффициент теплового расширения | ppm/K (300~1200K) | 4-6 | 4-6
Добавка при спекании | – | Y2O3 | Y2O3
Диаметр | mm | 150 ± 0,25 | 200 ± 0,25
Глубина выемки | mm | 1,0 +0,25/-0 Ориентирный край | 1,0 +0,25/-0
Угол выемки | – | 90° +5/-2° | 90° +5/-2°
Толщина | µm | 400 ± 15 | 400 ± 15
TTV | µm | <10 | <10
BOW | µm | <±30 | <±30
Warp | µm | <50 | <50
Ra (шероховатость поверхности) | nm | <50 | <50

Применения

• Производство полупроводников
• Микроволновые усилители мощности
• RF‑мощность и переключатели
• Электроника питания для высоких температур
• Лазерные диоды и оптоэлектронные устройства
• Высокомощные и ВЧ‑электронные устройства
• П силовые модули MOSFET, IGBT
• LED‑корпуса для охлаждения и защиты схем

Технические спецификации

• Стандартные диаметры: 50,8 мм (2”) до 200 мм (8”), наиболее распространённые: 6” и 8”
• Диапазон толщин: 0,125 мм до 1 мм (полированные или шлифованные поверхности)
• Поверхность для прямого соединения: Ra ≤ 0,05 µm
• Типичная теплопроводность: 170–220 W/m·K (в зависимости от класса)
• Коэффициент теплового расширения: ~4–6 ×10^-6/K (300–1200 K), похож на кремний
• Типичная объёмная удельная резистивность при 20°C: до ≥10^14 Ω·cm (зависит от класса)
• Диэлектрическая проницаемость (@1 MHz): ~8,6; Тангенс потерь: ~5×10^-4
• Механически: прочность на изгиб типично ≥300–400 MPa; прочность на сжатие ≈2000 MPa или выше
• Типичные допуски на вафли (пример): диаметр ±0,25 мм; толщина 400 ±15 µm для образцов 6”/8”; TTV <10 µm; Bow <±30 µm; Warp <50 µm; Ra <50 nm
• Часто используемая добавка при спекании: Y2O3