Плазменный источник CVD

PVDдля обработки поверхностей

RF Атомный источник для атомного кислорода и атомного азота Минимизация потерь мощности за счет оптимизированной конструкции Зона сброса производится из высококачественных материалов, что обеспечивает минимальное загрязнение балки Нулево-ионная конфигурация тока в стандартной комплектации Для выращивания высококачественных составных материалов идеально подходят нейтральные, атомные виды. В то время как молекулярные газы, такие как кислород или азот, показали на порядок меньшую реакционную способность, чем при диссоциации в атомную форму. Поэтому образование оксидов с использованием молекулярного кислорода обычно требует высоких температур и/или продолжительных периодов окисления, в то время как молекулярный азот практически не проявляет реакционной способности для многих материалов. Таким образом, диссоциированные виды увеличивают реакционную способность на многие порядки величины и, следовательно, позволяют выращивать окиси или нитриды при низком давлении и разумных температурах субстрата. Однако ионные частицы, образующиеся в плазменных процессах, как правило, энергетически активны и могут создавать точечные дефекты. С другой стороны, атомные виды обладают незначительной кинетической энергией и, следовательно, позволяют быстро расти пленке, не вызывая дефектов.