МОП-структура из кремния RM110N06PA

МОП-структура из кремния
МОП-структура из кремния
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Материал
из кремния

Описание

Этот MOSFETs отRongtech Industry(ShangHai) Inc. Передовая 6-дюймовая технология позволяет достичь чрезвычайно низкого статического сопротивления RDS(on) между стоком и истоком. По этой причине данный MOSFETs имеет низкое энергопотребление во время применения, что также повышает надежность и долговечность. Характеристика: VDS=60V, ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (Typ:7.0mΩ) Расширенная безопасная рабочая зона Низкая емкость обратного перехода 100% тест лавинной энергии одиночного импульса Применение -Применение для переключения питания -Управление двигателями постоянного тока - ИБП

---

Каталоги

RM110N06PA
RM110N06PA
5 Страницы
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.