- Продукция
- МОП-структура из кремния
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
МОП-структура из кремния RM20N10PA
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
Характеристики
- Материал
- из кремния
Описание
Эти МОП-транзисторы от Rongtech Industry(ShangHai) Inc. Передовая 6-дюймовая технология позволяет достичь чрезвычайно низкого статического сопротивления RDS(on) между стоком и истоком. По этой причине данный MOSFETs имеет низкое энергопотребление во время применения, что также повышает надежность и долговечность.
Общие характеристики
-VDS=100V, ID=20A, Rdson≦70mΩ @VGS=10V (Typ:58mΩ)
-Расширенная безопасная рабочая зона
-Низкая емкость обратного перехода
-100% тест лавинной энергии одиночного импульса
Применение
-Применение для переключения питания
-Управление двигателями постоянного тока
- ИБП
---
Каталоги
RM20N10PA
5 Страницы
Другие изделия Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Mosfet power semi conductors
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.