- Продукция
- МОП-структура из кремния
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
МОП-структура из кремния RM40N10PK
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
Характеристики
- Материал
- из кремния
Описание
Этот MOSFETs от Rongtech Industry (ShangHai) Inc. использует передовую 6-дюймовую технологию для достижения чрезвычайно низкого статического сопротивления RDS(on) между стоком и истоком. По этой причине данный MOSFETs имеет низкое энергопотребление во время применения, что также повышает надежность и долговечность.
Характеристика:
VDS=100V, ID=40A
Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ)
Расширенная безопасная рабочая зона
Низкая емкость обратного перехода
100% тест лавинной энергии одиночного импульса
Применение
-Применение для переключения питания
-Управление двигателями постоянного тока
- ИБП
---
Каталоги
RM40N10PK
5 Страницы
Другие изделия Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Mosfet power semi conductors
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.