МОП-структура из кремния RM30N20PK

Эти МОП-транзисторы от Rongtech Industry(ShangHai) Inc. Передовая 6-дюймовая технология позволяет достичь чрезвычайно низкого статического сопротивления RDS(on) между стоком и истоком. По этой причине данный MOSFETs имеет низкое энергопотребление во время применения, что также повышает надежность и долговечность. Характеристика: VDS=200V, ID=30A Rdson≦75mΩ @VGS=10V (Typ:55mΩ) Расширенная безопасная рабочая зона Низкая емкость обратного перехода 100% тест лавинной энергии одиночного импульса Применение -Применение для переключения питания -Управление двигателями постоянного тока - ИБП