Блок транзисторов БТИЗ SNXH800H120L7QDSG
мощностидля коммутации

Блок транзисторов БТИЗ - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - мощности / для коммутации
Блок транзисторов БТИЗ - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - мощности / для коммутации
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению

fo_shop_gate_exact_title

Характеристики

Тип
БТИЗ
Тип
для коммутации, мощности
Ток

800 A

Напряжение

1 200 V

Описание

SNXH800H120L7QDSG - это номинальный полумостовой IGBT-модуль питания. Встроенные IGBT с полевой остановкой Trench 7 и диоды 7-го поколения обеспечивают более низкие потери проводимости и потери на переключение, позволяя разработчикам достичь высокой эффективности и превосходной надежности. Области применения Преобразование постоянного и переменного тока Преобразование постоянного тока в постоянный Преобразование переменного тока в постоянный Конечные продукты Коммерческие сельскохозяйственные транспортные средства (CAV) Характеристики IGBT и диоды Gen.7 с полевым затвором модуль питания 2 в 1 с полумостовой конфигурацией IGBT Изолированная опорная плита NTC термистор Паяемые контакты Макет с низкой индуктивностью

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги Fairchild Semiconductor

Другие изделия Fairchild Semiconductor

Discrete & Power Modules

    * Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.