{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Напряжение: 600, 650 V
Ток: 4 A - 80 A
... Продукты ROHM реализуются с низкими потерями Vce(sat) и Low switch благодаря технологии ROHM's trench gate и тонких пластин. ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 0 V - 120 V
Ток: 0 A - 5 A
... Доступны в различных корпусах, имеющих характер малого сигнала, тонкие и мощные для широкого применения на рынке. ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 12, 50, 60 V
Ток: 0,1, 0,5, 1 A
... Цифровые транзисторы изобретены фирмой Rohm впервые на рынке, которая представляет собой транзистор, объединяющий встроенные резисторы для удобства цифровой цепи. Этот сегмент продукции становится все более обширным как в сверхмалых корпусах ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 4 500, 5 200 V
Ток: 3 000, 1 300, 2 000 A
... StakPak - это семейство высокомощных изолированных биполярных транзисторов затвора (IGBT), пресс-пакетов и диодов в усовершенствованном модульном корпусе, гарантирующем равномерное давление чипов в стеках с несколькими приборами. Хотя ...
... Особенности: Легкое распараллеливание благодаря положительному температурному коэффициенту напряжения в открытом состоянии Прочная конструкция eXtreme-light Punch Through (XPT™) дает результаты: - короткое замыкание, рассчитанное на ...
Напряжение: 1 200 V
Ток: 600 A
... Литтельфузные модули IGBT обеспечивают высокую эффективность и быструю коммутацию современной технологии IGBT в надежном и гибком формате. Используется для управления питанием, Littelfuse предлагает расширенный ассортимент IGBT-модулей ...
Напряжение: 650 V
Ток: 38 A
... Термостат TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT напряжением 650 В, 28 А с жестким переключением в компактном корпусе TO-220 предназначен для переключения между 10 кГц и 40 кГц, обеспечивая высокую плотность тока, высокую эффективность, сокращение времени ...
Infineon Technologies - Sensors
Напряжение: 20 V
Ток: 100, 82 A
Компания Toshiba предлагает широкий ряд биполярных транзисторов для различных сфер применения, включая радиочастотные приборы и источники питания. Инжекционный транзистор с обогащенным затвором (injection-enhanced gate transistor, ...
... Интеллектуальные силовые модули SLLIMM относятся к семейству IPM, которые позволяют комбинировать оптимизированные кремниевые микросхемы и включают в себя 3 основных инверторных блока: силовой каскад (прочные IGBT и свободно колесные ...
Напряжение: 250, 500 V
Ток: 10, 43 A
... FAIRCHILD представляет свою новейшую линию автомобильного зажигания с IGBT. Он специально разработан для обеспечения максимальной плотности энергии зажима среди всех устройств на рынке и низкого напряжения насыщения. Обеспечивает оптимальную ...
Fairchild Semiconductor
Напряжение: 25, 40, 6 V
Ток: 1 A
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР CTLM1034-832D состоит из транзистора NPN низкого VCE(SAT) и выпрямителя низкого VF Шотки. Упакованный в маленький, термически эффективный, бессвинцовый корпус 3x2mm поверхностного монтажа, он предназначен ...
Central Semiconductor
Напряжение: 60 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР BCV47 - это кремниевый транзистор NPN Дарлингтон, изготовленный по эпитаксиальному плоскостному процессу, эпоксидное литье которого выполнено в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенный для ...
Central Semiconductor
Напряжение: 45 V
... ОПИСАНИЕ: Типы ЦЕНТРАЛЬНЫХ СЕМИКОНДУКТОРОВ BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP Изготавливается по эпитаксиально-плоскостному процессу, эпоксидная форма в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенном для применения ...
Central Semiconductor
Напряжение: 50 V
Ток: 0,8 A
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Напряжение: 1 200 V
Ток: 10, 25 A
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Напряжение: 1 200 V
Ток: 40 A
... -Номинальный ток короткого замыкания >10 джойстиков -Низкое напряжение насыщения: Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A, Tc = 25'C -Пониженная коммутирующая потеря -100% Протестировано на ЗПСХ(2*lc>) -Низкий индуктивный поток воздуха -Вести бесплатно, ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Напряжение: 1 350 V
Ток: 25 A
... Траншеи Rongtech для полевых остановок IGBT отличаются низкими потерями при переключении, высокой энергоэффективностью и высокой прочностью на лавины для индукционного нагрева, микроволновых печей и т.д. ТЕЛЕФОНЫ -Высокое пробивное напряжение ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...
Diodes Incorporated
... Номер детали 24912000 Статус продуктаНе для новых конструкций Жилье SEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBxBxH)55x31x12 SwitchesSix Pack VCES в V600 ICnom в A6 ТехнологияNPT IGBT (сверхбыстрая) ...
SEMIKRON
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось