＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 28 A
Напряжение: 650 V
... IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 с жесткой коммутацией в корпусе TO-220, занимающем небольшую площадь, предназначены для приложений, переключающихся в диапазоне от 10 кГц до 40 кГц, и обеспечивают высокую плотность тока, высокий КПД, ускорение сроков ...
Infineon Technologies AG
Напряжение: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Разработанные с использованием запатентованной технологии тонкой подложки XPT™ и современного технологического процесса IGBT, эти приборы обладают такими качествами, как пониженное тепловое сопротивление, низкий хвостовой ток, низкие ...
Ток: 600 A
Напряжение: 1 200 V
... IGBT-модули Littelfuse обеспечивают высокую эффективность и высокую скорость переключения современной IGBT-технологии в надежном и гибком формате. Используемые в приложениях управления питанием, Littelfuse предлагает расширенный ассортимент ...
... Высокотоковая розетка Dvice Высокая температура ℃ 5.45 мм шаг Прямой угол Низкое газовыделение Это гнездо, которое может соответствовать расположению платы ПК с ограничениями по высоте за счет поворота устройства вбок. ● Поддерживает ...
JC CHERRY INC.
... Гнезда для силовых ИС Стандартный тип Одиночные в линию ●Как заказать ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Количество позиций от 2 до 16 Диэлектрическая прочность - Сопротивление изоляции - - - Рабочая температура EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = ...
JC CHERRY INC.
... Гнездо среднего размера для силовых ИС Тип сквозного отверстия Двойной стиль 2.шаг 54 мм / 0,100" ●Как заказать ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Количество позиций 04,12,20 (четное количество) *Что касается другого количества позиций, ...
JC CHERRY INC.
Ток: 15 A
Напряжение: 140 V
... Биполярный силовой транзистор NPN MJ15001 и MJ15002 - это силовые транзисторы, предназначенные для мощных аудиоустройств, позиционеров дисковых головок и других линейных приложений. Характеристики Высокая безопасная рабочая область ...
Fairchild Semiconductor
Ток: 20 A
Напряжение: 650 V
... Потери на переключение снижены, что позволяет осуществлять высокоскоростное переключение. (2-контактный корпус) Соответствует стандарту AEC-Q101 Сокращенное время восстановления Возможность высокоскоростного переключения Уменьшенная ...
ROHM Semiconductor
Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...
Ток: 24 A
Напряжение: 1 700 V
... В устройстве используется технология диффузионного коллектора в планарном исполнении с использованием "улучшенной высоковольтной структуры" (EHVS1), разработанной для ЭЛТ-дисплеев высокой четкости. Новая серия продуктов HD демонстрирует ...
STMicroelectronics
Ток: 8 A
Напряжение: 1 700 V
... QC962-8A - это интегрированный гибридный драйвер IGBT. Его основная функция - прием сигнала квадратной волны от контроллера и преобразование его в изолированный, усиленный сигнал гате, который управляет циклом включения и выключения IGBT. ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Ток: 3 000, 1 300, 2 000 A
Напряжение: 4 500, 5 200 V
... StakPak - это семейство высокомощных изолированных биполярных транзисторов затвора (IGBT), пресс-пакетов и диодов в усовершенствованном модульном корпусе, гарантирующем равномерное давление чипов в стеках с несколькими приборами. Хотя ...
Напряжение: 60 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР BCV47 - это кремниевый транзистор NPN Дарлингтон, изготовленный по эпитаксиальному плоскостному процессу, эпоксидное литье которого выполнено в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенный для ...
Central Semiconductor
SEMIKRON
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Ток: 25 mA
Напряжение: 20 V
... Напряжение коллектор-эмиттер - Vceo 20 В Постоянный ток коллектора - Ic - 25 мА Полярность - pol - NPN Рассеиваемая мощность - Ptot - 0,200 Вт Температура спая - Tjmax - 150 °C Коэффициент усиления по постоянному току - hfe - 85 - VcE ...
Diotec
Ток: 150 A
Напряжение: 600 V
... IGBT модуль AMM145GB066D AS ENERGITM является заменой, аналогом, альтернативой и эквивалентом для IGBT модуля SKM145GB066D SEMIKRON (пакет SEMITRANS). Номинальный ток коллектора ICnom - 150 ампер, непрерывный ток коллектора IC - 195 ампер, ...
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...
Diodes Incorporated
Ток: 10, 25 A
Напряжение: 1 200 V
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось