{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Напряжение: 600, 650 V
Ток: 4 A - 80 A
... Продукты ROHM реализуются с низкими потерями Vce(sat) и Low switch благодаря технологии ROHM's trench gate и тонких пластин. ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 0 V - 120 V
Ток: 0 A - 5 A
... Доступны в различных корпусах, имеющих характер малого сигнала, тонкие и мощные для широкого применения на рынке. ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 12, 50, 60 V
Ток: 0,1, 0,5, 1 A
... Цифровые транзисторы изобретены фирмой Rohm впервые на рынке, которая представляет собой транзистор, объединяющий встроенные резисторы для удобства цифровой цепи. Этот сегмент продукции становится все более обширным как в сверхмалых корпусах ...
ROHM Semiconductor
Напряжение: 13 V
Ток: 25 mA
... ОСОБЕННОСТИ - Встроенный изолированный источник питания DC-DC; Единая мощность топология привода питания - Высокое напряжение изоляции 3750 В переменного тока - Частота входного сигнала до 20 кГц - Встроенная схема неисправностей с выводом ...
Напряжение: 20 V
Ток: 100, 82 A
Компания Toshiba предлагает широкий ряд биполярных транзисторов для различных сфер применения, включая радиочастотные приборы и источники питания. Инжекционный транзистор с обогащенным затвором (injection-enhanced gate transistor, ...
Напряжение: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Разработанные с использованием запатентованной технологии тонковолнового XPT™ и новейшего IGBT-процесса, эти устройства обладают такими качествами отображения, как пониженное термическое сопротивление, низкий хвостовой ток, низкие потери ...
Напряжение: 1 200 V
Ток: 600 A
... Литтельфузные модули IGBT обеспечивают высокую эффективность и быструю коммутацию современной технологии IGBT в надежном и гибком формате. Используется для управления питанием, Littelfuse предлагает расширенный ассортимент IGBT-модулей ...
Напряжение: 650 V
Ток: 38 A
... Термостат TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT напряжением 650 В, 28 А с жестким переключением в компактном корпусе TO-220 предназначен для переключения между 10 кГц и 40 кГц, обеспечивая высокую плотность тока, высокую эффективность, сокращение времени ...
Infineon Technologies - Sensors
Напряжение: 1 700 V
Ток: 24 A
... Высоковольтный силовой транзистор NPN для дисплеев высокой четкости и новых сверхтонких ЭЛТ-дисплеев В устройстве используется диффузионный коллектор в планарной технологии с применением "улучшенной высоковольтной структуры" (EHVS1), ...
STMicroelectronics
Напряжение: 4 500, 5 200 V
Ток: 3 000, 1 300, 2 000 A
... StakPak - это семейство высокомощных изолированных биполярных транзисторов затвора (IGBT), пресс-пакетов и диодов в усовершенствованном модульном корпусе, гарантирующем равномерное давление чипов в стеках с несколькими приборами. Хотя ...
Напряжение: 60 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР BCV47 - это кремниевый транзистор NPN Дарлингтон, изготовленный по эпитаксиальному плоскостному процессу, эпоксидное литье которого выполнено в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенный для ...
Central Semiconductor
Напряжение: 45 V
... ОПИСАНИЕ: Типы ЦЕНТРАЛЬНЫХ СЕМИКОНДУКТОРОВ BCX51, BCX52 и BCX53 - это кремниевые транзисторы PNP Изготавливается по эпитаксиально-плоскостному процессу, эпоксидная форма в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенном для применения ...
Central Semiconductor
Напряжение: 50 V
... ОПИСАНИЕ: Центральный полупроводниковый CMKT3920 (два одиночных транзистора NPN) представляет собой двойную комбинацию в пространстве экономичный пакет SOT-363 ULTRAmini™, предназначенный для небольших усилителей сигнала общего назначения ...
Central Semiconductor
... Номер детали 24912000 Статус продуктаНе для новых конструкций Жилье SEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBxBxH)55x31x12 SwitchesSix Pack VCES в V600 ICnom в A6 ТехнологияNPT IGBT (сверхбыстрая) ...
SEMIKRON
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...
Diodes Incorporated
Напряжение: 250, 500 V
Ток: 10, 43 A
... FAIRCHILD представляет свою новейшую линию автомобильного зажигания с IGBT. Он специально разработан для обеспечения максимальной плотности энергии зажима среди всех устройств на рынке и низкого напряжения насыщения. Обеспечивает оптимальную ...
Fairchild Semiconductor
Напряжение: 50 V
Ток: 0,8 A
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Напряжение: 1 200 V
Ток: 10, 25 A
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось