＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Ток: 3 000, 1 300, 2 000 A
Напряжение: 4 500, 5 200 V
... StakPak - это семейство высокомощных изолированных биполярных транзисторов затвора (IGBT), пресс-пакетов и диодов в усовершенствованном модульном корпусе, гарантирующем равномерное давление чипов в стеках с несколькими приборами. Хотя ...
Ток: 25 mA
Напряжение: 13 V
... ОСОБЕННОСТИ - Встроенный изолированный источник питания DC-DC; Единая мощность топология привода питания - Высокое напряжение изоляции 3750 В переменного тока - Частота входного сигнала до 20 кГц - Встроенная схема неисправностей с выводом ...
Напряжение: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Эти приборы, созданные по запатентованной технологии тонкой подложки XPT™ и по современному IGBT-технологическому процессу, обладают такими качествами, как пониженное тепловое сопротивление, низкий хвостовой ток, низкие потери энергии ...
Ток: 600 A
Напряжение: 1 200 V
... IGBT-модули Littelfuse обеспечивают высокую эффективность и высокую скорость переключения современной IGBT-технологии в надежном и гибком формате. Используемые в приложениях управления питанием, Littelfuse предлагает расширенный ассортимент ...
... Компания Toshiba предлагает широкий спектр биполярных транзисторов, пригодных для различных применений, включая радиочастотные (РЧ) и устройства питания. ...
Ток: 28 A
Напряжение: 650 V
... IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 с жесткой коммутацией в корпусе TO-220, занимающем небольшую площадь, предназначены для приложений, переключающихся в диапазоне от 10 кГц до 40 кГц, и обеспечивают высокую плотность тока, высокий КПД, ускорение сроков ...
Infineon Technologies AG
Ток: 150 A - 3 600 A
Напряжение: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Силовые IGBT-модули Hitachi Energy выпускаются на напряжение от 1700 до 6500 вольт в виде одиночных, двойных / фазовых ножек, IGBT с прерывателем и двойных диодных модулей. Мощные IGBT-модули HiPak отличаются низкими потерями в сочетании ...
Ток: 25 mA
Напряжение: 20 V
... Напряжение коллектор-эмиттер - Vceo 20 В Постоянный ток коллектора - Ic - 25 мА Полярность - pol - NPN Рассеиваемая мощность - Ptot - 0,200 Вт Температура спая - Tjmax - 150 °C Коэффициент усиления по постоянному току - hfe - 85 - VcE ...
Diotec
Ток: 200 mA
Напряжение: 40 mV
... Типовые применения Обработка сигналов, Коммутация, усиление Коммерческий класс l) Характеристики Общее назначение Соответствует требованиям RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Ток: 100 mA
Напряжение: 65, 45, 30 V
... Типовые применения Обработка сигналов Коммутация Усиление Коммерческий / промышленный класс Суффикс -Q: Соответствует стандарту AEC-Q101х) Суффикс -AQ: в соответствии с квалификацией AEC-Q101 *) Характеристики Общее назначение Три ...
Diotec
Ток: 15 A
Напряжение: 140 V
... Биполярный силовой транзистор NPN MJ15001 и MJ15002 - это силовые транзисторы, предназначенные для мощных аудиоустройств, позиционеров дисковых головок и других линейных приложений. Характеристики Высокая безопасная рабочая область ...
Fairchild Semiconductor
Ток: 20 A
Напряжение: 650 V
... Потери на переключение снижены, что позволяет осуществлять высокоскоростное переключение. (2-контактный корпус) Соответствует стандарту AEC-Q101 Сокращенное время восстановления Возможность высокоскоростного переключения Уменьшенная ...
ROHM Semiconductor
... Интеллектуальные силовые модули SLLIMM относятся к семейству IPM, которые позволяют комбинировать оптимизированные кремниевые микросхемы и включают в себя 3 основных инверторных блока: силовой каскад (прочные IGBT и свободно колесные ...
STMicroelectronics
Напряжение: 60 V
... ОПИСАНИЕ: ЦЕНТРАЛЬНЫЙ СЕМИКОНДУКТОР BCV47 - это кремниевый транзистор NPN Дарлингтон, изготовленный по эпитаксиальному плоскостному процессу, эпоксидное литье которого выполнено в корпусе для поверхностного монтажа, предназначенный для ...
Central Semiconductor
Ток: 0,8 A
Напряжение: 50 V
... Усиление постоянного тока hFE Макс. 400:400 Усиление постоянного тока hFE мин.: 160 Описание:TO-92, 50V, 0.8A, NPN биполярный транзистор IC (A):0.8 PD (W):0.625 Пакет:TO-92 Полярность:NPN Статус:Активный ТиДжей Макс. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
SEMIKRON
Ток: 10 A - 1 600 A
Напряжение: 600 V - 1 700 V
... Greegoo предлагает модули IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором) различных топологий, номиналов тока и напряжения. Модули IGBT от 15А до 1600А при классах напряжения от 600В до 1700В используются в различных приложениях ...
Напряжение: 20, 50 V
... N-канальный МОП-транзистор и транзистор NPN в одном пакете Низкое сопротивление при включении Очень низкое пороговое напряжение ворот, макс. 1.0V Низкая входная емкость Скорость быстрого переключения Низкая утечка на входе/выходе ...
Diodes Incorporated
Ток: 10, 25 A
Напряжение: 1 200 V
... Особенности Траншея + Файловая остановка IGBT-технологии Возможность короткого замыкания -10 кадров в секунду -(Версат) с положительным температурным коэффициентом -Низкая индуктивность корпуса -Быстрое и мягкое реверсивное восстановление ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
Уточните, пожалуйста
Помогите нам улучшить качество наших услуг:
осталось