Транзисторы с полевым эффектом Infineon

... P-канальные МОП-транзисторы в нормальном и логическом режимах, снижающие сложность проектирования в средних и низких энергопотребляющих приложениях Описание: P-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ 60 ...

Напряжение: 40 V
Ток: 40 A

... OptiMOS™ 6 40-В силовые MOSFET сочетают лучшее в своем классе устройство RDS(on) с превосходными коммутационными характеристиками Описание: Семейство OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V оптимизировано для различных приложений и схем, таких ...

Напряжение: 600 V
Ток: 61 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Напряжение: 600 V
Ток: 61 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Напряжение: 600 V
Ток: 61 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Напряжение: 600 V
Ток: 20 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Напряжение: 600 V
Ток: 18 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Напряжение: 600 V
Ток: 9 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Напряжение: 600 V
Ток: 101 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Напряжение: 600 V
Ток: 101 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...