Транзисторы с полевым эффектом Infineon

1 Компания | 41 товара
{{#pushedProductsPlacement4.length}} {{#each pushedProductsPlacement4}}
{{product.productLabel}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement4.length}}
{{#pushedProductsPlacement5.length}} {{#each pushedProductsPlacement5}}
{{product.productLabel}}
{{#if product.activeRequestButton}}
{{/if}}
{{product.productLabel}}
{{product.model}}

{{#each product.specData:i}} {{name}}: {{value}} {{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}} {{/each}}

{{{product.idpText}}}

{{productPushLabel}}
{{#if product.newProduct}}
{{/if}} {{#if product.hasVideo}}
{{/if}}
{{/each}} {{/pushedProductsPlacement5.length}}
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPD900P06NM

... P-канальные МОП-транзисторы в нормальном и логическом режимах, снижающие сложность проектирования в средних и низких энергопотребляющих приложениях Описание: P-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ 60 ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
BSZ063N04LS6

Напряжение: 40 V
Ток: 40 A

... OptiMOS™ 6 40-В силовые MOSFET сочетают лучшее в своем классе устройство RDS(on) с превосходными коммутационными характеристиками Описание: Семейство OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V оптимизировано для различных приложений и схем, таких ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPZA60R045P7

Напряжение: 600 V
Ток: 61 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPB60R045P7

Напряжение: 600 V
Ток: 61 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPW60R045P7

Напряжение: 600 V
Ток: 61 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPP60R160P7

Напряжение: 600 V
Ток: 20 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPAN60R180P7S

Напряжение: 600 V
Ток: 18 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPAN60R360P7S

Напряжение: 600 V
Ток: 9 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPZA60R024P7

Напряжение: 600 V
Ток: 101 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors
транзистор MOSFET
транзистор MOSFET
IPW60R024P7

Напряжение: 600 V
Ток: 101 A

... средах за счет предотвращения сбоев, связанных с электростатическим разрядом Встроенный RG снижает чувствительность МОП-транзистора к колебаниям MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных коммутационных топологий, ...

Показать другие изделия
Infineon Technologies - Sensors