＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... CORE. 7. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Области применения 1. Контроль мощности лазера на задней грани. 2. Цифровые оптические коммуникации FTTH. 3. Оптические межсоединения. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... длин волн от 980nm до 1620nm.Применяется для мониторинга оптической мощности, выводимой с задней грани различных LD, FTTH цифровых оптических коммуникаций и оптических межсоединений. 1. Сверху расположена площадка для подключения NPN. 2. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... XSJ-10-EMPD-120R представляет собой чип мониторного PIN-фотодиода с краевой подсветкой InGaAs/InP, который имеет планарную структуру с анодным контактом и катодным контактом сверху. Размер детектируемой области фотодиода составляет 120μmX60μm, ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... CORE. 8.Соответствуют требованиям RoHS2.0 (2011/65/EU). Области применения 1. Контроль мощности лазера на задней грани. 2. Цифровая оптическая связь FTTH. 3. Оптические межсоединения. ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... InGaAs InP PIN с боковой подсветкой и планарной структурой. Анод расположен спереди, катод - сзади, а боковое окно обнаружения чипа имеет размеры 120X60 мм и подходит для центров обработки данных и телекоммуникационных краевых излучающих ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 3,1 Гбит/с представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и цифровой фотодиод с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ60 мкм. Особенностью микросхемы является низкий темновой ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 2,5 Гбит/с представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и чип цифрового фотодиода с верхним освещением, размер активной области составляет Φ70 мкм. Особенностью микросхемы ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 3 ГГц представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и чип цифрового/аналогового PD с верхним освещением и высокой отзывчивостью 3 ГГц, размер активной области составляет Φ70 ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Этот чип фотодиода 2,5 Гбит/с представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и чип цифрового/аналогового PD с верхним освещением и высокой отзывчивостью, размер активной области составляет Φ70 ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
... Чип фотодиода 2,5 Гбит/с представляет собой планарную PIN-структуру InGaAs/InP и чип цифрового/аналогового PD с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ70 мкм. Особенностью чипа ...
PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
＆ связывайтесь со всеми клиентами в одном месте круглый год
Стать участником выставки