Цифровой чип XSJ-10-DA4-70-KH3

аналоговыйс фотодиодомInGaAs

Этот чип фотодиода 3 ГГц представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и чип цифрового/аналогового PD с верхним освещением и высокой отзывчивостью 3 ГГц, размер активной области составляет Φ70 мкм. Его особенностями являются низкий темновой ток, низкая емкость, высокая отзывчивость, благодаря чему достигается снижение интермодуляционных искажений второго порядка (IMD2) и композитных искажений тройного биения (CTB), а также превосходная надежность. Применение в оптических приемниках 2,5 Гбит/с и ниже, EPON ONU и аналоговых оптических приемниках CATV. 1. Активная область Φ70μm. 2. Высокая отзывчивость и высокая линейность. 3. Низкий темновой ток. 4. Полоса пропускания: ≥3 ГГц 5. Низкий уровень интермодуляционных искажений второго порядка (IMD2) и композитных искажений тройного биения (CTB) 6. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% тестирование и проверка. Области применения 1. FTTH, CATV и аналоговые системы передачи. 2. Одно- или многомодовые волоконно-оптические приемники для Gigabit Ethernet, Fiber Channel и SONET/SDH. 3. Приборы.