Этот чип фотодиода 2,5 Гбит/с представляет собой планарную структуру InGaAs/InP PIN и цифровой/аналоговый фотодиод с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ70 мкм. Особенностью микросхемы является низкий темновой ток, низкая емкость, высокая отзывчивость и отличная надежность. Применение в оптических приемниках 2,5 Гбит/с и ниже, EPON ONU и аналоговых оптических приемниках CATV.
1. Активная область Φ70μm.
2. Высокая ответственность.
3. Низкая емкость.
4. Низкий темновой ток.
5. Низкий уровень искажений.
6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% тестирование и проверка.
Области применения
1. FTTH, CATV и аналоговые системы передачи.
2. Одно- или многомодовые волоконно-оптические приемники для Gigabit Ethernet, Fiber Channel и SONET/SDH.
3. Приборы.
---