Фотодиод InGaAs XSJ-10-DA3-70-01

PIN

Описание Чип фотодиода 2.5 Гбит/с представляет собой планарную PIN-структуру InGaAs/InP и чип цифрового/аналогового PD с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ70μm. Особенностью микросхемы является низкий темновой ток, низкая емкость, высокая отзывчивость, низкие интермодуляционные искажения второго порядка (IMD2) и композитные искажения тройного биения (CTB), отличная надежность. Применение в аналоговых приемниках 2,5 Гбит/с и ниже, а также в EPON ONU. Характеристики Активная область Φ70μm. Низкий уровень интермодуляционных искажений второго порядка (IMD2) и композитных искажений тройного биения (CTB). Высокая линейность и высокая отзывчивость. Низкий темновой ток. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Применение модуль приемника скорости передачи данных ≤2,5 Гбит/с. EPON ONU. Аналоговый оптический приемник CATV.