Чип фотодиода 2,5 Гбит/с представляет собой планарную PIN-структуру InGaAs/InP и чип цифрового/аналогового PD с верхней подсветкой, размер активной области составляет Φ70 мкм. Особенностью чипа является низкий темновой ток, низкая емкость, высокая отзывчивость, низкий уровень интермодуляционных искажений второго порядка (IMD2) и композитных искажений тройного биения (CTB), отличная надежность. Применяется в аналоговых приемниках 2,5 Гбит/с и ниже, а также в устройствах EPON ONU.
1. Активная область Φ70μm.
2. Низкий уровень интермодуляционных искажений второго порядка (IMD2) и композитных искажений тройного биения (CTB).
3. Высокая линейность и высокая чувствительность.
4. Низкий темновой ток.
5. Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% тестирование и проверка.
Области применения
1. модуль приемника скорости передачи данных ≤2,5 Гбит/с.
2. EPON ONU.
3. Аналоговый оптический приемник CATV.
---