Source de faisceau d'électrons UNI-Bulb®

Источник радиочастотной плазмы UNI-Bulb для кислорода, азота и водорода Оптимизация производства электронных и оптоэлектронных устройств Получите оптимальные условия для роста GaN электронных и оптоэлектронных материалов, а также непревзойденную стабильность и воспроизводимость плазмы из радиочастотного источника плазмы Uni-Bulb производства компании Veeco. Однокомпонентная впускная газовая трубка PBN и плазменная лампа в сочетании с двойной коаксиальной РФ катушкой обеспечивают превосходное подключение питания и отвод тепла. Для дальнейшего повышения производительности GaNen доступны несколько вариантов дизайна, в том числе индивидуальные диафрагмы. Описание Газовая плазма является эффективным инструментом для преобразования высокостабильных исходных газов, таких как N2 или H2, в более активные атомные и молекулярные виды, пригодные для роста МГЭ. Veeco UNI-Bulb имеет запатентованную цельную трубку входа газа PBN и плазменную лампу для устранения утечки газа вокруг лампы. Полученная плазма обладает высокой стабильностью и воспроизводимостью, позволяя многочасовое время работы без перестройки источника. Сменные диафрагменные пластины доступны в конфигурациях с различной газовой проводимостью для роста GaN, смешанных As/N материалов, легирования азотом, очистки водородом и роста с помощью водорода. Конструкция выходного отверстия минимизирует содержание ионов в пучке, в то время как активные нейтральные виды (атомные и молекулярные) направлены на субстрат. Для большинства коммерческих систем MBE имеются изготовленные по индивидуальным заказам апертурные пластины с высокой однородностью, обеспечивающие стандартную однородность ±1%.