Описание
Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) - это светоприемная микросхема с внутренним умножающим фототоком. Размер светочувствительной области верхнего светоприемного устройства составляет Φ500 мкм, что облегчает выравнивание волокна, а структура переднего/заднего электрода; высокая отзывчивость, высокое умножение, низкий темновой ток. Высокоэффективная большая светочувствительная поверхность APD-чипа, заключенная в одну трубку, позволяет повысить чувствительность оптического приемника и широко используется в системах обнаружения низкой освещенности и лидара.
Характеристики
1. Темновой ток: 30 (VR=VBR-1V)
4. Порог ESD: 1000V
Области применения
1. Оптическое времяпролетное отражение (OTDR)
2. Лазерная дальнометрия
3. Космическая оптическая передача
4. Дальность обнаружения при низкой освещенности
---