Чип обнаружения XSJ-10-APD3-200X

с фотодиодом

Лавинный чип хотодиода (APD чип) является своего рода активным устройством, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является наличие анода сверху и катода сзади, размер активной области с верхним освещением составляет Φ200μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость и низкий темновой ток. Высокопроизводительный пакет микросхем APD 1.25 Гбит/с для однотрубного TO-CAN может улучшить чувствительность оптического приемника, приложений, которые OTDR. 1. Активная область Φ200μm. 2. Анод сверху и катод сзади. 3. Низкий темновой ток. 4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 5. Скорость передачи данных до 1,25 Гбит/с. 6. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% тестирование и проверка. Области применения 1. Оптический рефлектометр (OTDR). 2. Лазерный дальномер/измерение расстояния. 3. Пространственное пропускание света. 4. Обнаружение в условиях низкой освещенности. 5. Лазерная сигнализация и LIDAR.