Лавинный фотодиодная матрица XSJ-10-APD3A-200X-K10

кристалл ИС

Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) - это вид активного устройства, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью этого продукта 1X10 Array является анод сверху и катод сзади, с освещенной сверху активной областью Φ200μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный 1.25Gbps APD чип пакет для однотрубной TO-CAN может улучшить чувствительность оптического приемника, приложения, что OTDR. 1. Активная область Φ200μm, массив 1X10. 2. Шаг матрицы: 340 мкм. 3. Анод сверху и катод сзади. 4. Низкий темновой ток. 5. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 6. Скорость передачи данных до 1,25 Гбит/с. 7. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% тестирование и проверка. Области применения 1. Оптический рефлектометр (OTDR). 2. Лазерный дальномер/измерение расстояния. 3. Пространственное пропускание света. 4. Обнаружение в условиях низкой освещенности. 5. Лазерная сигнализация и LIDAR.