Чип с фотодиодом XSJ-10-APD4-80-TR1

Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) - это вид активного устройства, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является анод сверху и катод сзади, с освещенной сверху активной областью Φ80μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный 2,5 Гбит/с APD-чип и TIA в сочетании с TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, что позволяет передавать данные по современному оптоволокну в дом (FTTH). 1. Активная область Φ80 мкм. 2. Анод сверху и катод сзади. 3. Низкий темновой ток. 4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 5. Отражательная способность <1,5% при 1550 нм±50 нм, <6% при 1250 нм～1700 нм. 6. Скорость передачи данных до 2,5 Гбит/с. 7. Отличная надежность: Все чипы прошли квалификационные требования, указанные в 8. Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% тестирование и проверка. 9. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Применение 1. Безопасный для глаз лазерный дальномер. 2. Оптический рефлектометр (OTDR). 3. Оптические системы связи.