Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) - это вид активного устройства, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является наличие анода сверху и катода сзади, размер активной области с верхним освещением составляет Φ55μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный чип APD на 2,5 Гбит/с и TIA в сочетании с TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, что позволяет передавать данные в современных системах "волокно в дом" (FTTH).
1. Активная область Φ55 мкм.
2. Анод сверху и катод сзади.
3. Низкий темновой ток.
4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления.
5. Отражательная способность <1,5% при 1550 нм±50 нм, <6% при 1250 нм~1700 нм.
6. Скорость передачи данных до 2,5 Гбит/с.
7. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% тестирование и проверка.
9. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU).
Применение
1. приемник 2,5 Гбит/с GPON/EPON OLT.
2. Оптический рефлектометр с временной диаграммой направленности (OTDR)
---