Чип с фотодиодом XSJ-10-APD4-55-TR1

Чип с фотодиодом - XSJ-10-APD4-55-TR1 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Чип с фотодиодом - XSJ-10-APD4-55-TR1 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению

fo_shop_gate_exact_title

Характеристики

Спецификации
с фотодиодом

Описание

Микросхема лавинного фотодиода (APD-чип) - это вид активного устройства, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является наличие анода сверху и катода сзади, размер активной области с верхним освещением составляет Φ55μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный чип APD на 2,5 Гбит/с и TIA в сочетании с TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, что позволяет передавать данные в современных системах "волокно в дом" (FTTH). 1. Активная область Φ55 мкм. 2. Анод сверху и катод сзади. 3. Низкий темновой ток. 4. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. 5. Отражательная способность <1,5% при 1550 нм±50 нм, <6% при 1250 нм~1700 нм. 6. Скорость передачи данных до 2,5 Гбит/с. 7. Отличная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% тестирование и проверка. 9. Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU). Применение 1. приемник 2,5 Гбит/с GPON/EPON OLT. 2. Оптический рефлектометр с временной диаграммой направленности (OTDR)

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.