Фотодиод InGaAs XSJ-10-APD2-400
лавинныйPIN

фотодиод InGaAs
фотодиод InGaAs
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению
 

Характеристики

Спецификации
InGaAs, лавинный
Монтаж
PIN

Описание

Описание Лавинный фотодиодный чип (APD чип) является своего рода активным устройством, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является анод сверху и катод сзади, размер активной области с верхней подсветкой составляет Φ400μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный 622Mbps APD чип пакет для одной трубки TO-CAN может улучшить чувствительность оптического приемника, приложения в низкой освещенности обнаружения и лазерного лидара и т.д. поле. Характеристики Активная область Φ400μm. Анод сверху и катод сзади. Низкий темновой ток. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. Скорость передачи данных до 622 Мбит/с. Отличная надежность: Все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Применение Обнаружение в условиях низкой освещенности. Лазерный лидар и лазерный дальномер. Пространственная передача света. Оптоволоконная связь.

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.