Фотодиод InGaAs XSJ-10-APD4-80

лавинныйPIN

Описание Лавинный фотодиодный чип (APD чип) является своего рода активным устройством, которое обеспечивает встроенный коэффициент усиления и усиливает фототок. Особенностью данного продукта является анод сверху и катод сзади, с освещенной сверху активной областью Φ80μm для легкой оптической сборки; высокая отзывчивость, высокий коэффициент умножения и низкий темновой ток. Высокопроизводительный 2,5 Гбит/с APD чип и TIA в сочетании TO-CAN могут улучшить чувствительность оптического приемника, приложения, которые позволяют передавать данные для современного оптоволокна в дом (FTTH). Характеристики Активная область Φ80μm. Анод сверху и катод сзади. Низкий темновой ток. Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления. Скорость передачи данных до 2,5 Гбит/с. Отличная надежность: Все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Применение Безопасный для глаз лазерный дальномер. Оптический рефлектометр временной области (OTDR). Оптические системы связи.