Модуль запоминающего устройства HBM3E

HBM3E продолжает лидировать на рынке ИИ Компания SK hynix выпустила HBM3E, чтобы укрепить свое непревзойденное лидерство на рынке памяти для искусственного интеллекта после успеха HBM3. Расширенная версия HBM3 помогает ускорить оборачиваемость бизнеса благодаря поставкам после самого масштабного в отрасли массового производства HBM. улучшенное на 10 % тепловое сопротивление и энергоэффективность SK hynix первой разработала технологию упаковки MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill). Эта технология, которая одновременно соединяет чипы вместе посредством расплавления и заполняет зазоры жидким материалом, играет важную роль в разработке высокотермостойких HBM. Вместе с технологией управления чипами не только предотвращается коробление пластин, но и добавляется новый материал заполнения для дальнейшего лучшего отвода тепла. Усовершенствованный MR-MUF улучшил теплоотвод HBM3E на 10 % по сравнению с предыдущим поколением, а энергоэффективность также повысилась на 10 %. емкость и пропускная способность x1.5 при том же размере корпуса Максимальная емкость HBM3E составляет 36 ГБ, а максимальная скорость передачи данных на контакт - 9,2 Гбит/с, при этом максимальная пропускная способность превышает 1,18 ТБ в секунду, что в 1,4 раза лучше, чем у HBM3, как с точки зрения емкости, так и пропускной способности.