Модуль запоминающего устройства DRAM H5WRAGESM8W-N8L

быстрая

Самая быстрая память DRAM с улучшенным теплоотводом Самое быстрое решение DRAM 1ynm 16Gb HBM2E от SK hynix - самая быстрая в отрасли память со скоростью ввода/вывода 3,6 Гбит/с, обрабатывающая 460 ГБ данных в секунду при 1024 входах/выходах. Благодаря улучшенному на 36 % теплоотводу по сравнению с предыдущей моделью HBM2, наша новая HBM2E - это действительно эффективная память с высокой производительностью для вашей системы. Тенденция производительности HBM SK hynix лидирует на рынке HBM, стремясь к еще более быстрым решениям HBM: Наша HBM3, находящаяся в стадии разработки, будет способна обрабатывать данные со скоростью 819 ГБ/с или выше, со скоростью 6,4 Гбит/с на контакт. Благодаря более чем двукратному увеличению энергоэффективности при той же рабочей нагрузке, что и у DDR или GDDR, HBM снижает общую стоимость владения, что отражает суть нашей инициативы Memory ForEST*. Улучшение тепловых характеристик Наша HBM2E на 36 % лучше отводит тепло, чем HBM2, что позволяет ей оставаться в среднем на 14 градусов Цельсия холоднее при одинаковых условиях эксплуатации. 9-кратное увеличение пропускной способности, 2-кратное увеличение емкости по сравнению с предыдущим поколением По сравнению с пропускной способностью 2,4 ГБ/с у DDR5 и 64 ГБ/с у GDDR6, HBM2E работает в 9 раз быстрее, обрабатывая 460 ГБ данных в секунду. HBM2E также удваивает плотность по сравнению с предыдущим поколением HBM2, реализуя решение объемом 16 ГБ с помощью комбинации восьми матриц DRAM по 16 ГБ, по сравнению с плотностью 8 ГБ в HBM2.