Модуль запоминающего устройства DRAM H5WRAGESM8W-N8L

быстрая

Максимальная память DRAM для новых горизонтов памяти высокого класса Первая в мире HBM3 будет разработана в октябре 2021 года Всего через 15 месяцев после начала массового производства HBM2E компания SK hynix укрепила свое лидерство в области высокоскоростной DRAM, разработав HBM3 - новейшую память с высокой пропускной способностью для передовых технологий в центрах обработки данных, суперкомпьютерах и искусственном интеллекте. Улучшенное тепловое рассеивание HBM3 работает при более низких температурах, чем HBM2E, при том же уровне рабочего напряжения, что повышает стабильность среды серверной системы. При эквивалентных рабочих температурах SK hynix HBM3 поддерживает 12 стеков, что в 1,5 раза превышает емкость HBM2E, а скорость ввода-вывода 6 Гбит/с обеспечивает в 1,8 раза более высокую пропускную способность. Таким образом, благодаря большей охлаждающей способности при тех же рабочих условиях SK hynix реализует свою инициативу Memory ForEST*. Повышение производительности SK hynix HBM3, обладающая в 1,5 раза большей емкостью, чем HBM2E, благодаря 12 плашкам DRAM, уложенным в корпус одинаковой общей высоты, подходит для работы приложений с высокой емкостью, таких как искусственный интеллект и высокопроизводительные вычисления. Пропускная способность одного куба может достигать 819 ГБ/с, а SiP (System-in-Package) с шестью чипами HBM на одном кремнии может достигать 4,8 ТБ/с в поддержку требований экзафлопсных вычислений. ECC на кристалле SK hynix HBM3 также оснащен надежным и специально разработанным встроенным кодом коррекции ошибок (ECC), который использует предварительно распределенные биты четности для проверки и исправления ошибок в полученных данных. Встроенная схема позволяет DRAM самостоятельно исправлять ошибки внутри ячеек, значительно повышая надежность устройства.