Модуль запоминающего устройства DRAM H5UG7HME03X020R

DDR5

Предельная память DRAM для новых горизонтов памяти высокого класса Первая в мире HBM3 будет разработана в октябре 2021 года Всего через 15 месяцев после начала массового производства HBM2E компания SK hynix укрепила свое лидерство в области высокоскоростной DRAM, разработав HBM3 - новейшую память с высокой пропускной способностью для передовых технологий в центрах обработки данных, суперкомпьютерах и искусственном интеллекте. Усовершенствованное тепловое рассеивание HBM3 работает при более низких температурах, чем HBM2E, при том же уровне рабочего напряжения, что повышает стабильность работы серверной системы. При эквивалентных рабочих температурах SK hynix HBM3 поддерживает 12 стеков чипов, что в 1,5 раза больше, чем у HBM2E, а скорость ввода/вывода 6 Гбит/с обеспечивает в 1,8 раза большую пропускную способность. Таким образом, благодаря большей мощности охлаждения при тех же рабочих условиях SK hynix реализует свою инициативу Memory ForEST*. Повышение производительности SK hynix HBM3, обладающая в 1,5 раза большей емкостью, чем HBM2E, благодаря 12 плашкам DRAM, уложенным в корпус той же общей высоты, подходит для работы с приложениями, требующими большой емкости, такими как искусственный интеллект и высокопроизводительные вычисления. Пропускная способность одного кубика может достигать 819 ГБ/с, а система в пакете (SiP) с шестью чипами HBM на одном кремнии - до 4,8 ТБ/с в поддержку экзафлопсных требований. Встроенный ECC SK hynix HBM3 также оснащен надежным встроенным кодом коррекции ошибок (ECC), который использует заранее распределенные биты четности для проверки и исправления ошибок в принимаемых данных. Встроенная схема позволяет DRAM самостоятельно исправлять ошибки внутри ячеек, что значительно повышает надежность устройства.