Модуль запоминающего устройства DRAM MRDIMM

SDRAMDDR5

Компания SK hynix разработала модуль памяти MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module), предназначенный для высокопроизводительных вычислений, который увеличивает пропускную способность за счет одновременного доступа к рангам в субканале на базе устройств DDR5 SDRAM объемом 16 или 24 Гб. Пропускная способность, легко превышающая 8 Гбит/с Наши модули DDR5 MRDIMM объемом 16 или 24 Гб работают со скоростью передачи данных 8,8 Гб/с, обеспечивая прирост производительности не менее 37 % по сравнению с другими продуктами DDR5 со скоростью передачи данных 6,4 Гб/с. Обычно, когда скорость вычислений процессора опережает скорость обработки данных в DRAM, возникает узкое место в производительности из-за увеличивающегося разрыва в скорости обработки данных. Разрабатывая MRDIMM с высокой пропускной способностью, мы устраняем это "узкое место", повышая производительность серверов для ИИ и высокопроизводительных вычислений. *Узкое место: Узкое место - это затор в транспортном потоке, часто возникающий на таких участках, как мосты или въезды в туннели с различной шириной дороги, что приводит к образованию пробок из-за времени ожидания на светофорах. В вычислительной технике это означает замедление производительности системы и снижение эффективности процессов, обычно вызванное несоответствием классов компонентов в компьютерной системе. Благодаря возможности одновременной работы двух рангов, MRDIMM позволяет передавать процессору 128 байт данных одновременно по сравнению с 64 байтами, обычно получаемыми обычными модулями DRAM. Такое увеличение объема данных, передаваемых процессору каждый раз, позволяет вдвое увеличить скорость работы одной памяти DRAM. Настраиваемый диапазон емкости В MRDIMM используются те же мономатрицы DDR5 плотностью 16 и 24 Гб, что и в RDIMM, что позволяет использовать модули емкостью от 32 Гб до 128 Гб.