Модуль запоминающего устройства DRAM H5ANBG6NAMR series

Модуль запоминающего устройства DRAM - H5ANBG6NAMR series - Hynix
Модуль запоминающего устройства DRAM - H5ANBG6NAMR series - Hynix
Добавить в папку «Избранное»
Добавить к сравнению

fo_shop_gate_exact_title

Характеристики

Тип
DRAM
Запоминающие устройства

8 GB, 16 GB, 32 GB

Описание

Для развивающихся потребностей вычислительной техники Основная память DRAM для передовых вычислений Память DDR4 16 Гбит от SK hynix обеспечивает высокую производительность при меньшем энергопотреблении и более высокой плотности конфигурирования, чем предыдущие модели DRAM, воплощая в себе инновации, необходимые для удовлетворения современных вычислительных потребностей. Более высокая производительность Наша DDR4 обеспечивает пропускную способность 3200 МТ/с, потребляя при этом на 20 % меньше рабочего напряжения, чем DDR3, обеспечивая высокую производительность для следующего поколения корпоративных приложений в сочетании с экономией электроэнергии и снижением совокупной стоимости владения. Оптимизированы для современной среды ИКТ Необходимость все более быстрой обработки данных, вызванная появлением облачных вычислений и аналитики больших данных, требует от современных ИТ-систем памяти со все более высокой плотностью и производительностью. Память SK hynix DDR4 - оптимальное решение для удовлетворения таких потребностей, с расширенными скоростными возможностями для каждой системы и дополнительным преимуществом - проверенной надежностью, доступностью и удобством обслуживания (RAS).

---

Каталоги

Для этого товара не доступен ни один каталог.

Посмотреть все каталоги Hynix
* Цены указаны без учета налогов, без стоимости доставки, без учета таможенных пошлин и не включают в себя дополнительные расходы, связанные с установкой или вводом в эксплуатацию. Цены являются ориентировочными и могут меняться в зависимости от страны, цен на сырьевые товары и валютных курсов.