PHEMOS-1000 - это эмиссионный микроскоп с высоким разрешением, который определяет места неисправностей в полупроводниковых приборах, выявляя слабые световые и тепловые излучения, вызванные дефектами полупроводниковых приборов. Так как PHEMOS-1000 может использоваться в сочетании с универсальным пробером, Вы можете выполнять различные задачи анализа, используя уже знакомые Вам образцы настроек. Установка дополнительной системы лазерного сканирования позволяет получать изображения образцов с высоким разрешением. Доступны различные типы детекторов для различных методов анализа, таких как эмиссионный, тепловой и ИК-ОБИРХ-анализ. PHEMOS-1000 поддерживает широкий спектр задач и применений, начиная от проберных гнездовых плат и заканчивая крупногабаритным 300-миллиметровым пробером пластин.
Особенности
- Два ультра-высокочувствительных камеры монтируются
- Монтаж лазеров с длиной волны до 3-х волн и источника света для ЭОП
- Оснащен оптической сценой, подходящей для различных образцов
Варианты
- Включает в себя систему лазерного сканирования
- Эмиссионный анализ с высокочувствительной ближней инфракрасной камерой
- Тепловой анализ с высокочувствительной среднеинфракрасной камерой
- ИК-ОБИРАХ-анализ
- Динамический анализ с помощью лазерного излучения
- анализ зондовых измерений
- Анализ высокого разрешения и высокой чувствительности с использованием NanoLens
- Подключается к CAD-навигации
- Подключается к тестеру LSI
---