Лавинный фотодиод C30683

InGaAs

Обзор
Серия C30683 объединяет лавинный фотодиод (APD) и высокоскоростной трансимпедансный усилитель (TIA) в герметично запаянном корпусе TO-8 для точного обнаружения при очень низком уровне освещенности. Модели доступны с Si и InGaAs APD, обеспечивают системную полосу до 450 МГц, низкий NEP и дифференциальный выход для требовательных оптических измерительных и дальномерных систем.

Ключевые замечания по продукту

• Встроенный термистор для контроля температуры APD и компенсации высокого напряжения смещения для поддержания стабильного усиления.
• Варианты APD: Silicon (C30737, 500 µm) и InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm).
• Типичные номера изделий: C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH.

Особенности

• Интегрированный APD с первым каскадом усиления в герметичном корпусе TO-8
• Выбор детекторов Silicon или InGaAs
• Системная полоса до 450 МГц (в зависимости от модели)
• Нагрузка 50 Ω AC (AC-связь)
• Напряжение питания усилителя: +3,3 В
• Дифференциальный выход для подавления помех

Применения

• LiDAR и дистанционные измерения
• Оптическая связь в свободном пространстве
• Детекция в условиях очень низкой освещенности и аналитические приборы
• Распределённое температурное зондирование (DTS)
• Конфокальная микроскопия и фотонные тестовые стенды

Технические характеристики

• Серия: C30683
• Корпус: герметичный TO-8 с интегрированным APD и первым каскадом усиления
• Варианты APD и типичные размеры: Silicon (C30737, 500 µm); InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm)
• Чувствительность (Responsivity): до 550 kV/W (900 nm) или 120 kV/W (1550 nm), в зависимости от модели
• NEP: до 37 fW/√Hz (зависит от модели)
• Системная полоса: до 450 МГц (зависит от модели)
• Нагрузка: 50 Ω AC (AC-связь)
• Питание усилителя: +3,3 В
• Выход: Дифференциальный
• Контроль температуры: встроенный термистор для компенсации температуры APD