Лазерные источники для полупроводников

Мощность: 80 W
Длина волны: 1 064 nm

... Особенности машины

• Субнаносекундные импульсы (0,1–0,2 нс, настраиваемые); качество луча близкое к дифракционному пределу (M2 ≤1,5); макс. энергия одиночного импульса 0,8 мДж
• Оптическая конфигурация на полностью волоконной основе

Мощность: 20 W - 50 W
Длина волны: 1 030 nm

... Особенности оборудования

• Фемтосекундный импульс
• Высокая энергия импульса и пиковая мощность
• Качество луча, близкое к дифракционному пределу
• Высокая стабильность и надёжность

Мощность: 3 W - 20 W
Длина волны: 514 nm - 1 032 nm

... Обзор
JPT-LIT 20 — компактный фемтосекундный ультрабыстрый лазер с пассивным воздушным охлаждением, разработанный для промышленной микрорезки, обработки полупроводников и научных приложений. Обеспечивает ультракороткие импульсы (400 fs–4 ps), ...

Мощность: 20, 60 W
Длина волны: 1 035 nm

... Обзор продукта
Фемтосекундные инфракрасные волоконные лазеры JPT FS Series генерируют ультракороткие импульсы (<400 fs) с высокой энергией на импульс (>40 μJ), что обеспечивает очень высокую пик‑мощность и субмикронную точность. Серия ...