Импульсный лазерный источник HPF-50-IR

фемтосекундныйультракоротких импульсовтвердотельный

Особенности оборудования

• Фемтосекундный импульс
• Высокая энергия импульса и пиковая мощность
• Качество луча, близкое к дифракционному пределу
• Высокая стабильность и надёжность

Применения
Этот лазер использует передовую технологию накачки растянутого импульса (CPA) для получения фемтосекундных выходов, близких к дифракционному пределу. Широко применяется в полупроводниковой и потребительской электронике для точной микрообработки и стабильной производительности процессов.

• Резка, сверление и надрезание (стекло, кремний, керамика, гибкие печатные платы)
• Паттернирование тонких плёнок (металлы, тонкие плёнки)
• Маркирование (стекло, кремний, керамика, металлы, пластики)

Технический паспорт
Режим работы: Pulse
Средняя мощность (W): 50 W @ 600 kHz (альтернатива: 20 W @ 100 kHz)
Центральная длина волны (nm): 1030
Ширина спектра (nm): <3 (3 dB)
Частота повторения (kHz): 50-2000 (регулируемая)
Длительность импульса (fs): 600-30000 (настраиваемая)
Максимальная энергия одиночного импульса (µJ): 200
Диапазон регулировки мощности (%): 0-100
Время отклика (µs): <100
Качество луча (M2): ≤1.3
Стабильность мощности (%): ≤2 (24 h)
Размер пятна (mm): 2.5±0.3 (1/e2)
Эллиптичность пятна (%): >90 (typ. 93%)
Смещение луча (mm): <1.0
Угол расходимости луча (mrad): <0.5

Характеристики / технические спецификации

• Режим работы: Pulse
• Средняя мощность: 50 W @ 600 kHz (альтернатива: 20 W @ 100 kHz)
• Центральная длина волны: 1030 nm
• Ширина спектра: <3 nm (3 dB)
• Частота повторения: 50-2000 kHz (регулируемая)
• Длительность импульса: 600-30000 fs (настраиваемая)
• Максимальная энергия одиночного импульса: 200 µJ
• Диапазон регулировки мощности: 0-100%
• Время отклика: <100 µs
• Качество луча (M2): ≤1.3
• Стабильность мощности: ≤2% (24 h)
• Размер пятна: 2.5±0.3 mm (1/e2)
• Эллиптичность пятна: >90% (typ. 93%)
• Смещение луча: <1.0 mm
• Угол расходимости луча: <0.5 mrad